集成电路范文1
英文名称：China Integrated Circuit
主管单位：信息产业部
主办单位：中国半导体行业协会
出版周期：月刊
出版地址：北京市
语
种：中文
开
本：大16开
国际刊号：1681-5289
国内刊号：11-5209/TN
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发行范围：国内外统一发行
创刊时间：1994
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期刊简介
集成电路范文2
LT5571为850～965MHz GSM、CDMA2000、ISM和RFID调制器应用进行了优化。该器件接受I(同相)和Q(正交相位)基带信号并将其直接调制至射频信号。其在900MHz时，OIP3(输出3阶截取点)为21．7dBm，OIP2(输出2阶截取点)为63．8dBm，同时在采用5V电源时仅消耗97mA静态电流。LT557l的输出噪声为一159dBm／Hz，并具有42dBm的低LO泄漏。它在900MHz时的抑制镜频为-53dBc。
Linear Technology
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面向便携设备的3轴加速度传感器
SMB380采用了MEMS技术制造，尺寸为3ram×3ram×0．9mm；待机时的消耗电流为1μA，工作时低于200μA。该传感器的输出精度为10bit，配备I2C和SPI接口；加速度的测定范围可在±2G、±4G、±8G中选择。通过设定检测范围，可用作设备下落检测、倾斜输入传感器两种用途。
Bosch
Email：yoonsoon．im@bosch-sensortec．com
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零漂移的数字可设定增益仪表
放大器
AD8231可在扩展的工业温度范围内正常工作，适合于各种传感器，包括电阻温度检测器、热电偶和汽车压力传感器。性能概要：三运算放大器的仪表体系结构，集成了自动稳零放大器以保证在整个工作温度范围和工作年限内仅有50nV／℃的电压失调；采用iCMOS工艺，噪声为32nV／ ，共模抑制比(CMR)为122dB；内置了增益设定电阻器，可以将增益系数温度漂移限制到10×10-6／℃；具有软件可设定的增益系数，包括l、2、4、8、16、32、64和128，可以通过一个易用的三引脚接口进行设定；具有10G Q的高阻抗输入。
ADI
电话：021-5150-3000
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环境光线传感器
AMIS-74980x是可用于电子显示器和汽车应用的环境光线传感器。该产品在各种光源下均能良好运行，包括自然光、荧光、传统白炽灯和卤素灯。其暗电流非常低，这使显示控制器能够在低亮度环境下调节显示器亮度。因为AMIS-74980x是一种混合信号输出设备，能够工作在3～3．6V的电源电压内，具有10～100kHz的工作频率以及O～70"C的工作温度范围。
AMI
电话：021-5407-61 16
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2400dpi CMOS可选分辨率图像
传感器
AMIS－722402是分辨率高达2400dpi CMOS图像传感器，可提供分辨率为2400、1200、600或300dpi的多种选择。该传感器集成了一个片上输出放大器、节电模式电路和并行传输端口；在PCB上以端到端串联方式设计，并嵌入一个图像传感模块中；包括一个像素到像素的偏移取消电路；工作在3．3V电源下，当多个传感器串联在一起，可将功耗降至最低。传感器分辨率通过两个“选择分辨率输入”进行选择，所有的分辨率都能以同一时钟频率运作，这与CCD阵列不同。
AMI
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高性能红外线传感器系列
ASDL-4xxx、5xxx与6xxx为3款高性能红外线发射器和检波器产品，APDS-9lxx系列则是高速反射型近接式传感器。该系列集成了AlGaAs／GaAs LED技术，采用T1、T13／4与侧视式标准封装供货，并面向870与940nm波长范围予以优化来提高设计弹性。
APDS-91xx系列在只面向低温工作环境设计的集成模块中包装了一个红外线LED与光晶体管，同时其紧凑设计也提供了8～12ram距离范围的检测功能。
Avago Technologies
电话：0755-8207-2628
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采用小型化chipLED封装的环境
亮度传感器
APDS-9005(6针脚)与APDS一9006(反向安装4针脚)为采用小型化chipLED环保无铅封装的模拟电流输出型环境亮度传感器，尖峰频谱响应在500nm，其视觉化智能功能可以通过排除紫外光和红外线，有效仿真人眼的响应范围。APDS-9005支持1．8～5．5V电源，APDS-9006则支持2．4～5．5V电-源。两款传感器都可以在40～+85℃的温度范围内工作。
Avago Technologies
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8位、1Gs／s卫星通信系统模拟／数字转换器
ADC08D1000WG-QV符合宽带及高速卫星通信系统的严格技术指标要求。若以1GHz的速率进行采样，ADC08D1000WG-QV芯片的微分非线性特性(DNL)可达0．1 5 LSB，若以498MHz的输入频率(即奈奎斯特频率)工作，这款芯片的有效位数(ENOB)仍高达7．4。其错码率(BER)只有10～18，而采用关机模式时，功耗则不超过3．5mW(典型值)。
ADC08D 1 000WG-QV可在-55～125℃的温度范围内操作，而且保证不会遗漏代码。其设有以指令控制的校准模式，以免单粒子效应(SEE)触发启动系统，进行不必要的校准操作。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
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四阶单通道视频滤波器／驱动器
FMS6141具有8kV的额定ESD和SC70封装，采用有源滤波方法。主要特点：FMS6141可取代数字消费应用中常用的二阶或三阶无源器件，可提供更好的带内特性和阻带滤波特性；具有8MHz截止频率和48dB阻带衰减功能，符合标清(SD)视频要求，可灵活用作抗混叠滤波器或输出端的视频重建滤波器／驱动器；器件的输出可驱动交流或
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直流耦合单(150Q)或双(75Q)同轴电缆负载，因此无需昂贵的输出耦合电容。
除了单通道FMS6141之外，该系列还包括FMS6143(3通道)、FMS6145(5通道)和FMS6146(6通道)器件。
Fairchild Semiconductor
电话：0755-8246-3088
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表面贴装热释电红外传感器
该传感器可用于安全设备、照明设备的自动开关、摄像头(IP照相机)、自动热水冲水马桶以及其他自动开关(如液晶监视器、空调、空气滤清器、通风扇)。主要特点：采用了新型的封装工艺和新型热释电陶瓷材料；通过表面贴装化，使得以前无法进行的高精度贴装成了可能；高灵敏度；行业最小、最薄规格(6．7ram×5．7ram×2．6ram)；具有优良的抗电磁波噪声特性；提供3种配套小型透镜。
村田电子有限公司
电话：01 0-8048-6622
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8键式QTOUCh传感芯片
QTl081采用易于设计的分立输出端口和一个用户定义的低功率模式。这种模式提供μA级耗用电流，采用较慢的响应时间运行，但是一旦检测到触摸，它会立刻转换到正常全速的工作模式。该器件还采用扩频调制技术以降低由外场或噪音所造成的误键识别。此外，该芯片还采用了专利技术“相邻按键抑制(AKS)”，可防止对按键无意识的触摸。QTl081可广泛地适用于移动与消费产品的应用及个人电子设备。除了在QT1080基础上的改进以外，QTl081更加低廉的价格使低成本的PC设备、MP3播放器甚至玩具等的应用变得更为经济。
Quantum Research Group
Email：h．phil@qprox．com
http：／／WWW．qprox．comGSM、CDMA2000、WCDMA和WiMAX用系列低噪声放大器等 118,119,120,129,
GSM、CDMA2000、WCDMA和WiMAX用系列低噪声放大器
MGA-631P8和MGA-632P8内置有源偏压电路和电流调节功能，特别容易集成到GSM、CDMA2000、WCDMA和WiMAX用基地台与中继器的接收路径上。通过将外部偏压电路集成到芯片上，MGA-63 IP8与MGA-632P8还具备更优良的温度响应特性，同时可以简化产品设计并节省电路板空间。此外，电流可调增益功能也让设计工程师能够将LNA调整到需要的增益水平，节省材料成本。
Avago Technologies
电话：0755-8207-2628
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恒定输出的D类音频放大器
LM4851内置转换器，因此无需加设外置升压转换器。其可以利用3V的输入电压连续输出1．2W的功率，驱动8W的扬声器。若连续输出1．7W功率，驱动4W扬声器负载，其总谐波失真及噪声(THD+N)不会超过1％。
这款Boomer放大器除了设有低功耗的停机模式之外，还可支持输出短路和过热保护等功能。此外，这款芯片也内置先进的开关／切换噪声抑制电路，可以抑制开关电源时所产生的输出瞬态响应。它的独立增益控制可以通过多个不同的外置元件加以配置。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
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集成滤波器的GPS低噪声放大器
ALM－1412具备卓越的GPS信号接收灵敏度，以及良好的移动／PCS频带噪声拒斥能力，而这正是同步GPS(S GPS)运作的重要关键功能。
在典型的2．85V与8mA工作条件下，ALM-1412可以提供0．85dB的噪声指数、12．5dB的增益、+6．6dBm的IIP3以及58dBc的移动与PCS频带拒斥能力。它同时也可以在1V下运作，而且还能达到相当低的噪声指数和高增益，使得其非常适合应用在较严格的低功耗GPS应用或电池电量较低的场合。
Avago Technologies
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亮度彩色一体式传感器
VM6101是市场第一个具备彩色光和环境亮度测量功能的传感器IC，内嵌系统接口集成外设无需任何外部组件。VM6101特别适合液晶显示器的自动背光控制应用(冷阴极荧光灯(CCFL)或白光LED)，还可以让数字投影系统具有彩色均衡调节功能。
VM6101有四个(红、绿、蓝以及一个无滤光片的)像素用于测量总体的环境亮度和不同的RGB基色；采用创新的可抑制IR光谱的频响改善技术，VM6101的频谱响应接近人眼的频谱响应；具备光到频率转换的像素架构，该产品实现了30mLux到30klux的超宽动态响应用范围；其工作模式功耗极低，仅为lmA，待机模式仅为1μA。
STMicroelectronics
电话：01 0-5984-6288
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为TD―SCDMA应用进行优化的多级RFIC
MW6IC2240NB是一个LDMOS双级RFIC，当用于28V的最终放大器应用上时，在输出功率为35dBm的2010～202 5MH z的频率范围内，能够提供2 8dB的增益、一47dBc的ALTl和一49dBc的ALT2(6载波TD-SCDMA信号)。其工作电压是26～32V，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用TO-272超模压的、经济高效的塑料封装。
Freescale Semiconductor
电话：800-990-8188
http：／／WWW．freescale．com
运营商级基础局端处理器
基础局端处理器TMS320TNETV3020集成了6内核DSP，可实现超过3GHz的处理性能，为语音或视频媒体网关与转码应用提供了高密度解决方案，可支持超过504条G．711通道或204条AMR通道。其多层次的存储架构可降低芯片数与物料清单成本。
借助Telogy软件，TNETV3020的高级处理能力提供了超高性能与集成网络安全功能的高灵活性。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
http：／／www．ti．com
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具有下行DOCSIS频道绑定功能的电缆前端调制解调器
DOCSIS 2．0+／EuroDOCSIS 2．0+电缆前端调制解调器CX2445X具有4个ARM9网络处理器，具有下行频道绑定功能的3个解调模块可实现120Mb／s的下行数据速率，支持组合了两个数字视频流和一个附加行业标准的DOCSIS机顶盒网关(DSG)通道。
CX2445X支持D0CSIS／EuroDOCSIS 1．0／1．1／2．0和DSG，支持符合IPv6的完整的DOCSIS／EuroDOCSIS网络栈，完整的带外电缆物理层(PHY)与现有美国有线电视系统兼容，支持电缆电信工程师协会(sCTE)标准55-1和55-2，只需一个64Mb单数据速率(SDR)sDRAM器件。标准接口包括：带有高速OTG的USB2．0、PCI／主控制器，以及用于以太网扩展的媒体无关接口(MII)控制器。
Conexant
电话：0755-2583-6380
http：／／www．conexant．com
单芯片W―CDMA基带处理器
高集成度3 内核DsPTMS320TCl6488的每个内核的工作频率均达到1 GHz，能够在单芯片上支持宏基站所需的所有基带功能，且无须FPGA、ASIC及其他桥接器件。
TMS320TCI6488基于TMS320C 64x+平台，工作频率为3GHz，具有强大的处理能力，能够几乎无延时地支持语音与数据传输。
除Viterbi(VCP2)与Turbo(TCP2)协处理器外，TCl6488还具有内置功能，以支持W-CDMA密集型计算。TCl6488还具有高效的存储系统，并可通过DDR-2接口快速访问片外内存，从而确保系统级性能。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
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S08窄型封装的1Mb串行EEPROM
1Mb串行EEPROM芯片M24M01采用微型S08N封装，宽度仅为3．8ram。该产品还有一款采用S08W封装，这款产品内置I2C双线串口，专门为消费电子和医疗设备设计，适合保存参数经常被修改的海量数据的应用。
M24M01支持100kHz和400kHz时钟频率，工作电源电压1．8～5．5V。128Kb×8存储结构，支持字节和页式写模式，256B写操作低于5ms。改进的输入噪声过滤功能可以防止器件在电气噪声环境中出现乱真写操作。其数据保存能力超过40年，耐擦写能力不低于100万次，工作温度范围-40～+85℃。
S08N和S08W两种封装均符合RollS规范。其高存储密度归功干先进的0．18μm EEPROM制造工艺。
STMicroelectronics
电话：010-5984-6288
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带可转换AB／D类扬声器驱动的移动多媒体CODEC
音频编码解码器(CODEC)芯片WM8991的功率为1W，其扬声器驱动器具有在AB类和D类工作状态间进行灵活转换的双模特性。此设计将使新一代多功能多媒体手机具有混合和选择来自多种音源信号的功能。
WM8991采用5mm×5ram BGA封装，其信噪比(SNR)为98db，满足下一代移动电话的信号切换、音频转换及语音混合的要求，其功耗在语音通话时可低至5roW。
WM8991具有完全差分耳机输出的特性，省去了外接电容，降低了噪音和串音，改善了低音品质。虚拟接地设计以及一个交流耦合模式使得耳机输出端可以驱动一个附加的听筒。
此外，WM8991先进的语音功能还包括数字旁通，它使得诸如风噪声和机械振动的低频噪声从衰减的语音反馈信号中被数字化滤除。欧胜微电子Email：sales@wolfsonmicro．comhttp：／／WWW．wolfsonmicro．tom32位CISC微控制器系列
H8SX／1622组、H8SX／1638组和H8SX／1648组产品是H8SX系列32位CISC微控制器，均具有50MHz的最高工作频率、50MIPS性能和全面的片上外设功能。
H8SX／1638组和H8SX／1648组具有高性能和低功耗，集成了1MB闪存，具有在50MHz最高工作频率下进行1个周期数据读取的能力。其深度软件待机模式有助于降低待机功耗。内置的三个片上10位A／D转换单元每个都可独立工作，可以支持多达12个通道。
而H8SX／1622组除具有上述功能，还包括一个6通道16位－∑型ADC，具有高精度转换来自各种类型传感器信息的功能。
Renesas Technology
电话：021-6472-1001
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集成电路范文3
一、集成电路布图设计的概念
集成电路的布图设计是指一种体现了集成电路中各种电子元件的配置方式的图形。集成 电路的设计过程通常分为两个部分：版图设计和工艺。所谓版图设计是将电子线路中的各个 元器件及其相互连线转化为一层或多层的平面图形，将这些多层图形按一定的顺序逐次排列 构成三维图形结构；这种图形结构即为布图设计。制造集成电路就是把这种图形结构通过特 定的工艺方法，“固化”在硅片之中，使之实现一定的电子功能。所以，集成电路是根据要实现的功能而设计的。不同的功能对应不同的布图设计。从这个意义上说，对布图设计的保护也就实现了对集成电路的保护。
集成电路作为一种工业产品，应当受到专利法的保护。但是，人们在实践中发现，由于集成电路本身的特性，大部分集成电路产品不能达到专利法所要求的创造性高度，所以得不到专利法的保护。于是，在一九七九年，美国众议院议员爱德华（Edward）首次提出了以著作权法来保护集成电路的议案。但由于依照著们法将禁止以任何方式复制他人作品，这样实施 反向工程也将成为非法，因此，这一议案在当时被议会否决。尽管如此，它对后来集成电路保护的立法仍然有着重要意义，因为它提出了以保护布图设计的方式来保护集成电路的思想；在这基础上，美国于1984年颁布了《半导体芯。片保护法》；世界知识产权组织曾多次召集专家会议和政府间外交会议研究集成电路保护问题，逐渐形成了以保护布图设计方式实现对集成电路保护的一致观点，终于在一九八九年缔结了《关于保护集成电路知识产权条约》。在此期间，其他一些国家颁布的集成电路保护法都采用了这一方式。
虽然世界各国的立法均通过保护布图设计来保护集成电路，但关于布图设计的名称却各不相同。美国在它的《半导体芯片保护法，）中称之为“掩模作品”（maskwork）；在日本的《半导体集成电路布局法》中称之为“线路布局”（cir— cuitlayout）；而欧共体及其成员国在其立法中称布图设计为“形貌结构”（topography）；世界知识产权组织在《关于集成电路知识产权条约》中将其定名为布图设计。笔者以为，在这所有的名称中以“布图设计”一词为最佳。“掩模作品”一词取意于集成电路生产中的掩模。“掩模作品”一词已有过时落后之嫌，而“线路布局”一词又难免与电子线路中印刷线路版的布线、设计混淆。“形貌结构”一词原意为地貌、地形，并非电子学术语。相比之下，还是世界知识产权组织采用的“布图设计”一词较为妥当。它不仅避免了其他名词的缺陷，同时这一名词本身已在产业界及有关学术界广泛使用。《中国大百科全书》中亦有“布图设计”的专门词条‘
二、布图设计的特征
布图设计有着与其他客体相同的共性，同时也存在着自己所特有的个性。下面将分别加以论述。
1.集成电路布图设计具有无形性
无形性是各种知识产权客体的基本特性，，因此也是布图设计作为知识产权客体的必要条件。布图设计是集成电路中所有元器件的配置方式，这种“配置方式”本身是抽象的、无形的，它没有具体的形体，是以一种信息状态存在于世的，不象其他有形物体占据一定空间。
布图设计本身是无形的，但是当它附着在一定的载体上时，就可以为人所感知。前面提到布图设计在集成电路芯片中表现为一定的图形，这种图形是可见的。同样，在掩模版上布图设计也是以图形方式存在的。计算机辅助设计技术的发展，使得布图设计可以数据代码的方式存储在磁盘或磁带中。在计算机控制的离子注入机或者电子束曝光装置中，布图设计也是以一系列的代码方式存在。人们可通过一定方式感知这些代码信息。布图设计是无形的，但是其载体，如掩模版、磁带或磁盘等等却可以是有形的。
2.布图设计具有可复制性
通常，我们说著作权客体具有可复制性，布图设计同样也具有著作权客体的这一特征。当载体为掩模版时，布图设计以图形方式存在。这时，只需对全套掩模版加以翻拍，即可复制出全部的布图设计。当布图设计以磁盘或磁带为载体时，同样可以用通常的磁带或磁盘拷贝方法复制布图设计。当布图设计被“固化”到已制成的集成电路产品之中时，复制过程相对复杂一些。复制者首先需要去除集成电路的外封装；再去掉芯片表面的钝化层；然后采用不同的腐蚀液逐层剥蚀芯片，并随时拍下各层图形的照片，经过一定处理后便可获得这种集成电路的全部布图设计。这种从集成电路成品着手，利用特殊技术手段了解集成电路功能、设计特点，获得其布图设计的方法被称为“反向工程”。
在集成电路产业中，这种反向工程被世界各国的厂商广泛采用。集成电路作为现代信息工业的基础产品，已渗透到电子工业的各个领域，其通用性或兼容性对技术的发展有着非常重要的意义。因此，而反向工程为生产厂商了解其他厂商的产品状况提供了可能。如果实施反向工程不是单纯地为复制他人布图设计以便仿制他人产品，而是通过反向工程方法了解他人品功能、参数等特性，以便设计出与之兼容的其他电路产品，或者在别人设计的基础上加以改进，制造出更先进的集成电路，都应当认为是合理的。著作权法中有合理使用的规定，但这种反向工程的特许还不完全等同于合理使用。比如，合理使用一般只限于复制原作的一部分，而这里的反向工程则可能复制全套布图设计。改编权是著作权的权能之一，他人未经著作权人同意而擅自修改其作品的行为是侵权行为，但这里对原布图设计的改进则不应视为侵权。
集成电路范文4
集成电路(Ic)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这两种EsD测试类型旨在揭示包含基本EsD控制的制造环境下，电路在EsD应力下的存续情况如何。HBM是应用最久的EsD测试，但工厂EsD控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是更重要的ESD测试。CDM应力的大小会随着器件的尺寸而变化。有关CDM的“传统智慧”更认为不需要测试尺寸极小的集成电路，因为峰值电流快速变小直至消失。我们在此前的文童中曾指出，极小器件的峰值电流并不像通常认为的那样快速变小直至消失。高速示波器测量显示，即使脉冲宽度变得很窄，极小器件的峰值电流仍令人吃惊地保持高电平。过去，由于这些大峰值电流被忽略，因为使用了场致CDM测试标准所提倡的1GHz示波器，而场致CDM测试是最普及的CDM测试形式。
测试小器件时面临的问题
观测到极小集成电路超出预料的峰值电流，对负责测试极小器件(尺寸仅为较小的个位数毫米等级)的ESD测试工程师而言可不是什么好消息。图1显示了置于场致CDM测试装置上的8球栅(ball)芯片级封装。必须接触每个被测引脚的探针(的尺寸)占到整个集成电路尺寸的不小比例。显而易见，移动被测器件并不需要太多的探针接触：只是要求反复调整器件的位置。
在场致CDM测试期间、按惯例要使用真空来固持(hoId)被测器件(DUT)的位置。真空通常不能非常安全地固持极小的器件。此外，真空孔(的截面积)占到被测器件尺寸的不小比例，可能会影响器件应力。当真空孔尺寸超过被测器件面积的18％时，应力的大小就开始下降。图2比较了置于真空孔与不置于真空孔上的器件在峰值电流或完整电荷(total charge)条件下测量得到的应力大小。
在CDM测试期间使用真空来固持器件，由此带来两个问题。首先，它不起作用，即便起作用，也会开始影响测试结果。业界已经尝试使用两种方法来改善小器件的可测试性――将小封装贴在某类夹具(holder)上，或以支撑结构或模板来固持器件的位置。
使用夹具固持小器件
已经在三种条件下使用6uSMD裸片来进行cDM测试：仅器件本身、器件贴装在14DIP转换板上，以及在36LLP替代板(Surrogate Board)上，如图3所示。图4显示了这三种条件下以500 v电压采用8 GHz示波器所获得的CDM测试波形。这些结果显示，贴装在电路板上会增加施加给集成电路的应力。36LLP替代板上应力的增加颇为适度，可以视为易于操作性与更可靠测试结果之间的最佳折衷。贴装在14DIP转换板上的应力增加更为严重，大概不是一个可接受的折衷办法。好消息是36LLP替代板实际上比测试期间会移动的14DIP转换板更易于操作。
支持模板
第二种处理小型集成电路的方法是使用支持模板。业界存在关于支持模块这种方法的顾虑：由于小器件周围有介电常数较高的材料，介电的存会在多大程度上改变集成电路与场板(6ddplate)之间的电容?被测器件与场板之间的电容是被测器件上应力大小的决定因素。图s显示了固定在CDM装置中一个模板内的6usMD封装。此时被测器件位于绝缘体中精心加工的孔，而绝缘于cDM装置使用真空的场板中。图6显示了6LLP封装使用与不使用FR4支持模板时以8GHz示波器捕获的波形。此图显示这模板在测试条件下仅为集成电路增加极小的应力。
集成电路范文5
本报告通过深入调查分析，把握行业目前所处的全球和国内宏观经济形势，具体分析该产品所在的细分市场，对通用集成电路测试系统行业总体市场的供求趋势及行业前景做出判断；明确目标市场、分析竞争对手，了解产品定位，把握市场特征，发掘价格规律，创新营销手段，提出通用集成电路测试系统行业市场进入和市场开拓策略，对行业未来发展提出可行性建议。
报告属性
【报告性质】专题调研
【报告名称】
2009-2010年中国通用集成电路测试系统产业专题调查分析报告
【表述方式】文字分析、数据比较、统计图表浏览
【交付周期】3—5个工作日
【报告价格】8900元
【制作机关】中国市场调查研究中心
【定购电话】
86-10-88430838(刘老师)88864829(高老师)88864539(云老师)88893867(姜老师)
【传真】86-10-68450238合同下载
报告目录
第一章通用集成电路测试系统产业市场基本情况分析
第一节市场发展环境分析（宏观经济环境、产业市场政策……）
一、2009年我国宏观经济运行情况
二、我国宏观经济发展运行趋势
三、市场相关政策及影响分析
1、全球经济危机对中国宏观经济的消极影响
2、全球经济危机对通用集成电路测试系统行业的消极影响
3、全球经济危机对上下游产业的消极影响
4、中国扩大内需保增长的政策解析
5、行业未来运行环境总述
第二节产业市场基本特征（定义分类或产业市场特点、发展历程、市场重要动态……）
一、市场界定及主要产品
二、市场在国民经济中的地位
三、市场特性分析
四、市场发展历程
五、国内市场的重要动态
第三节产业市场发展情况（现状、趋势、市场重要动态……）
一、市场国际现状分析
二、市场主要国家情况
三、市场国际发展趋势分析
四、国际市场的重要动态
第二章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场经济运行情况
第一节2009年我国产业市场发展基本情况（现状、技术、产业市场运行特点……）
一、市场发展现状分析
二、市场特点分析
三、市场技术发展状况
第二节我国本产业市场存在问题及发展限制（主要问题与发展受限、基本应对的策略……）
第三节市场上、下游产业发展情况（上、下游产业对本产业市场的影响）
一、市场上游产业
二、市场下游产业
第四节2006年-2009年产业市场企业数量分析（近年内企业数量的变化情况以及各类型企业的数量变化……）
一、2006-2009年企业及亏损企业数量
二、不同规模企业数量
三、不同所有制企业数量分析
第五节2006年-2009年从业人数分析（近年内从业人员的变化情况以及各类型企业的数量变化……）
一、不同规模企业从业人员分析
二、不同所有制企业比较
第六节本产业市场进出口状况分析（本产业市场内主要产品进出口情况）
第三章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场生产状况分析
第一节2006年-2009年市场工业总产值分析
一、2006-2009年市场工业总产值分析
二、不同规模企业工业总产值分析
三、不同所有制企业工业总产值比较
四、2009年工业总产值地区分布
五、2009年总产值前20位企业对比
第二节2006年-2009年市场产成品分析（产成品、产成品区域市场）
一、2006-2009年产业市场产成品分析
二、不同规模企业产成品分析
三、不同所有制企业产成品比较
四、2009年产业市场产成品地区分布
第三节2006年-2009年本产业市场产成品资金占用率分析
第四章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场销售状况分析
第一节2006年-2009年市场销售收入分析（产品销售收入、不同规模的企业销售收入、不同企业类型的销售收入）
一、2006-2009年产业市场总销售收入分析
二、不同规模企业总销售收入分析
三、不同所有制企业总销售收入比较
第二节2009年本产业市场产品销售集中度分析
一、按企业分析
二、按地区分析
第三节2006年-2009年本产业市场销售税金分析
一、2006-2009年产业市场销售税金分析
二、不同规模企业销售税金分析
三、不同所有制企业销售税金比较
第五章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场成本费用分析（销售成本、销售费用、管理费用、财务费用、成本费用利润率……）
第一节2006-2009年市场产品销售成本分析
一、2006-2009年产业市场销售成本总额分析
二、不同规模企业销售成本比较分析
三、不同所有制企业销售成本比较分析
第二节2006-2009年市场销售费用分析
一、2006-2009年产业市场销售费用总额分析
二、不同规模企业销售费用比较分析
三、不同所有制企业销售费用比较分析
第三节2006-2009年市场管理费用分析
一、2006-2009年产业市场管理费用总额分析
二、不同规模企业管理费用比较分析
三、不同所有制企业管理费用比较分析
第四节2006-2009年市场财务费用分析
一、2006-2009年产业市场财务费用总额分析
二、不同规模企业财务费用比较分析
三、不同所有制企业财务费用比较分析
第五节2006-2009年市场成本费用利润率分析
第六章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场资产负债状况分析（总资产、固定资产、总负债、流动资产、应收账款、资产负债率……）
第一节2006-2009年市场总资产状况分析
一、2006-2009年产业市场总资产分析
二、不同规模企业资产规模比较分析
三、不同所有制企业总资产比较分析
四、总资产规模前20位企业对比
第二节2006-2009年市场固定资产状况分析
一、2006-2009年产业市场固定资产净值分析
二、不同规模企业固定资产净值分析
三、不同所有制企业固定资产净值分析
第三节2006-2009年市场总负债状况分析
一、2006-2009年产业市场总负债分析
二、不同规模企业负债规模比较分析
三、不同所有制企业总负债比较分析
第四节2006-2009年市场流动资产总额分析
一、2006-2009年产业市场流动资产总额分析
二、不同规模企业流动资产周转总额比较分析
三、不同所有制企业流动资产周转总额比较分析
第五节2006-2009年市场应收账款总额分析
一、2006-2009年产业市场应收账款总额分析
二、不同规模企业应收账款总额比较分析
三、不同所有制企业应收账款总额比较分析
第六节2006-2009年市场资产负债率分析
第七节2006-2009年市场周转情况分析
一、2006-2009年总资产周转率分析
二、2006-2009年流动资产周转率分析
三、2006-2009年应收账款周转率分析
四、2006-2009年流动资产周转次数
第八节2006-2009年市场资本保值增值率分析
第七章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场盈利能力分析（利润总额、销售毛利率、总资产利润率、净资产利润率……）
第一节2006-2009年市场利润总额分析
一、2006-2009年产业市场利润总额分析
二、不同规模企业利润总额比较分析
三、不同所有制企业利润总额比较分析
第二节2006-2009年销售毛利率分析
第三节2006-2009年销售利润率分析
第四节2006-2009年总资产利润率分析
第五节2006-2009年净资产利润率分析
第六节2006-2009年产值利税率分析
第八章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场经济运行最好水平分析（资本保值增值率、资产负债率、产值利税率、资金利润率……）
第一节2006-2009年资本保值增值率最好水平
第二节2006-2009年资产负债率最好水平
第三节2006-2009年产值利税率最好水平
第四节2006-2009年资金利润率最好水平
第五节2006-2009年流动资产周转次数最好水平
第六节2006-2009年成本费用利润率最好水平
第七节2006-2009年人均销售率最好水平
第八节2006-2009年产成品资金占用率最好水平
第九章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场重点企业竞争状况分析（产业市场按销售收入前10企业）
第一节2009年企业地区分布
第二节销售收入前10名企业竞争状况分析
一、企业基本情况
（法人单位名称、法定代表人、省、主要业务活动、从业人员合计、全年营业收入、资产总计、工业总产值、工业销售产值、出货值、工业增加值、产成品）
二、企业资产负债分析
（企业资产、固定资产、流动资产合计、流动资产年平均余额、负债合计、流动负债合计、长期负债合计、应收帐款）
三、企业经营费用分析
（营业费用、管理费用、其中：税金、财务费用、利税总额）
四、企业收入及利润分析
（主营业务收入、主营业务成本、主营业务税金及附加、其他业务收入、其他业务利润、营业利润、利润总额）
五、企业营业外支出分析
（广告费、研究开发费、劳动、失业保险费、养老保险和医疗保险费、住房公积金和住房补贴、应付工资总额、应付福利费总额、应交增值税、进项税额、销项税额）
六、企业工业中间投入及现金流分析
（工业中间投入合计、直接材料投入、加工费用中的中间投入、管理费用中的中间投入、营业费用中的中间投入、经营活动产生的现金流入、流出、投资活动产生的现金流入、流出、筹资活动产生的现金流入、流出）
第十章2009年我国通用集成电路测试系统产业市场营销及投资分析
第一节本产业市场营销策略分析及建议
一、产业市场营销策略分析
二、企业营销策略发展及建议
第二节本产业市场投资环境分析及建议
一、投资环境分析
二、投资风险分析
三、投资发展建议
第三节本产业市场企业经营发展分析及建议
一、产业市场企业发展现状及存在问题
二、产业市场企业应对策略
第十一章2010-2013年我国通用集成电路测试系统产业市场发展趋势分析
第一节未来本产业市场发展趋势分析（产业市场发展趋势、技术发展趋势、市场发展趋势……）
一、未来发展分析
二、未来技术开发方向
三、总体产业市场“十一五”整体规划及预测
第二节2010-2013年本产业市场运行状况预测（工业总产值、销售收入、利润总额、总资产）
一、2010-2013年工业总产值预测
二、2010-2013年销售收入预测
集成电路范文6
关键词：微电子科学技术；集成电路；小型化电路模式；方案设计
从目前微电子科学技术和集成电路产业发展基础条件来说，我国成为世界上经济发展和进步最快的国家之一，加上现阶段我国集成电路产业的核心发展水平得到了不断提升和优化，能够进一步为我国微电子科学技术和集成电路产业的发展提供了良好环境。
一、微电子与集成电路技术特点
（一）集成电路特点
集成电路技术又被稱为微电路系统、微芯片系统以及芯片系统等，并且在电子技术应用过程中，主要将电路结构，比如：半导体装置等小型设备化装置，所以该电子元件一般应用和制造在半导体元件的表面结构上。电路集成板在生产和制造过程中，其半导体芯片表面结构上的电路模式又被称为薄膜集成电路。而另外结构板的厚膜将混合成为集成电路结构，进而由相对独立的半导体结构设备以及被动生产元件共同构成，最终集合成小型化电路模式。其中集成电路设备和系统自身具备体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等相关优势，除此之外，由于集成电路自身经济支出成本相对较低，有利于大面积生产，所以其设备不仅在工业生产、民用电子设备等，比如：收录机、电视机、计算机等相关设备的到了广泛的应用和技术操作。
（二）微电子技术特点
与传统电子生产技术相比较，微电子技术自身具有显著特点，其主要特点表现为以下几个方面。
第一，现代化微电子技术主要利用自身设备固态结构体内部的微电子设备运作，进而实现信息处理和系统加工。其中信号在实际传输过程中，能够在绩效尺寸内开展一系列设备生产[1]。第二，微电子技术在实际应用过程中，能够将子系统以及电子零部件集成为统一芯片内部结构中，所以其设备普遍具备较高的集成性和功能性特点。
二、微电子与集成电路发展现状
现阶段我国微电子科学技术和集成电路产业发展起步相对较晚，并且经过长时间的技术研究和发展，我国电子科学技术行业已经从初级自主创业环节转变为系统化、规模化的环境建设。同时随着科学技术的不断发展和优化，我国在集成电路生产行业中始终保持优质的的发展趋势和方向，同时从销售经济角度来看，自动进入90年代后，集成化电路生产产业的始终保证在经济前端，其中集成电路生产产业的基础集中程度同样的到了有效提升，但是由于我国经济得到了不断提升，企业在集成电路生产过程中，同样无法有效满足市场的基础要求，逐渐出现了产业与经济无法平衡现状。
根据现阶段我国经营实际情况进行综合分析，无论是国家发展还是社会进步，始终重视集成电路以及微电子经营发展，因此在国家的大力发展和支持条件下，我国在集成电路研究和探索领域中开始培养和引进高精尖技术人才，许多高校同样开设相关的课程内容和技术培训，进而为我国微电子以及集成电力培养大量人才。然而与发达国家相比较，我国微电子和集成电路产业上仍然存在着较大的技术和经济差距。
第一，我国微电子以及集成电路行业起步相对较晚，最终导致市场技术拓展能力较差，致使整体行业出现了记性问题[2]。除此之外，我国在集成电路产业以及微电子科学技术方面上，极少能够进入世界范围内的平台中，因此大多数电子产品属于自产自销，严重缺少国际方面的竞争能力，第二，现阶段我国大多数集成电路在研究过程中普遍属于初级阶段，但是由于集成电路以及微电子产品生产过程中明显缺少基础技术，最终造成集成电路产业明显缺少核心竞争能力，致使研究技术人员以及技术水平明显落后，一定程度上限制和约束了我国集成电路产业的创新和进步，最终无法构成一定良性循环。
三、微电子与集成电路优化途径
（一）优化产品方案设计
在微电子科学技术和集成电路产业发展过程中，应该不断优化和完善产品方案设计，进而将高经济收益、高生产效率作为产品发展和生产的主要方向目标。而在产品方案设计过程中，需要以芯片设计方案作为重点内容，进而有效符合经济生产的核心需求。加上现阶段集成化产品芯片在方案设计上，还需要具备较大得技术创新空间，并且在其他产品的投入上，由于产品芯片自身属于高收入、低投入的产品，所以从产品生产市场的总体需求量方面来看，集成芯片在行业应用过程中的基础需求不断增加，进而成为我国集成电路发展的主要优势和机遇。所以在产品方案设计上，还需要不断进行产业优化，进而成为微电子与集成电路的核心技术优势。近几年，我国产品在方案设计方面上，其发展力度和趋势已经远远超出了产品生产方案的预期水平，甚至部分公司已经具有较高的发展实力。但是及时我国集成电路技术发展不断提升，我国在行业内部工作核心效率以及质量水平仍然达到标准要求，致使我国的集成电路产业面临的巨大的压力。
（二）完善集成产业发展重点
在微电子科学技术和集成电路产业在实际发展和运转过程中，其外部环境因素同样成为重要环境因素之一，因此只有构建出优质的发展环境和条件，才能有利于我国集成电力产业的核心发展和技术进步[3]。
1.优惠政策
在我国集成产业以及微电子科学技术应用过程中，为了进一步推动集成电路行业的全面进步，我国相继出台了集成电路行业以及微电流技术发展文件，进而保证集成电路生产行业水平，其中政府在行业政策的优惠和支持对于整体产业发展来说，起到了激励作用和现实意义，从根本上强化了集成生产和制造企业技术水平，尤其是在生产以及应用方向，能够得到最大限度的优惠。比如：政府在行业发展政策中，对于税收方向的规定中，企业实际产生的税收一旦超过百分之六，就可以有效实现了即征即退发展目标，但是在实际操作过程中，对于芯片生产和制造厂家来说，企业实际产生的增值税最高已经达到60%左右，远远高于国际上其他国家的增值税收，因此实际操作过程中，其效果无法达到标准要求。
2.审批流程
近几年，由于我国大型集成电力再生产过程中，审批和操作手续相对比较复杂，致使无论是外部独资，还是中外合资的企业，在审批和操作过程中过于繁琐和复杂，难以快速通过正常的系统审批。为了进一步有效解决政府审批问题，政府应该在审批流程上，最大限度减少流程限制，从根本上推动我国集成电路产业的全面发展。
