集成电路版图设计范例6篇

集成电路版图设计

集成电路版图设计范文1

关键词:JFET;运算放大器;版图设计;可靠性

0 引言

该JFET输入运算放大器主要用在高速积分器、快速D/A转换器、采样-保持等电路中,其关键技术指标是高精度、高速和高可靠。作为集成电路设计流程中最重要的一个环节,芯片版图的设计将是提高电路精度、成品率和可靠性的关键因素。

1 芯片功能及原理图

本文设计的JFET输入双运算放大器输入偏置电流最大200pA,失调电流最大50pA,失调电压最大2mV,共模抑制比最小85dB,电源抑制比最小85dB,电压增益最小90dB,转换速率最小10V/μs,增益带宽积最小4.5MHz。电路由失调调零电路、输入ESD保护电路、偏置电路、差分输入电路、电压放大电路、输出扩流电路、保护电路组成。电路原理图如图1所示。

2 芯片版图设计

2.1 芯片版图的平面设计

本文设计的JFET输入双运算放大器最大的热源就是输出扩流电路,为了保证电路精度,降低温度对输入部分的影响,应该将差分输入电路远离输出扩流电路;保护电路需要测量输出管的电流和结温(主要是电流),因此需把它放在贴近输出扩流电路的位置;电路失调调零电路考虑到电路中测应放在芯片边缘;偏置电路采用正温度系数的扩散电阻和负温度系数的齐纳二极管串联,基本消除了温度的影响,可以放在输出扩流电路边上,同时降低了温度对差分输入电路的影响。

考虑到电路的高可靠性能,在电路的输入、输出、电源端均加上ESD保护电路,提高电路抗静电等级。

综上所述,结合具体布线情况,得出了芯片版图的整体布局,如图2所示。

2.2 主要模块及元器件版图设计

本设计采用4μm双极对通隔离兼容JFET工艺,单层金属布线,共15次光刻版,全部采用负胶接触光刻。最小特征尺寸为4μm,外延层厚度12μm,电阻率3Ω・cm,基区结深2.5~3.0μm。

2.2.1 标准元器件版图设计

本设计中用到的标准元件主要有P沟道JFET、外延型JFET,小功率npn晶体管、横向pnp管、电阻、电容。P沟道JFET沟道长度设计为10μm。外延型JFET沟道宽度设计为32μm。小功率npn晶体管发射区下限尺寸主要受光刻精度的限制,小于4mA的npn晶体管发射区为φ22μm圆形,发射极电流按0.1mA/μm计算【1】;4~25mA的npn晶体管发射区设计为200μm×18μm的矩形。纵向pnp晶体管发射区设计为350μm×30μm的矩形,同时在发射区做重掺杂,提高纵向pnp管的大电流增益。横向pnp管基区宽度设计为14μm。

另外,设计时还采用了发射极铝层大面积覆盖(过EB结势垒区),以减少表面复合,提高npn管和横向pnp管的小电流放大倍数【1】。

本设计中采用的电阻主要有基区电阻和高硼注入电阻。对于精度要求高、匹配性好的电阻采用基区电阻,如差分输入端要求精确匹配的电阻。为了保证电阻的精度和好的匹配性,设计时尽量避免弯头的出现。其余要求不高且阻值较大的电阻采用高B注入电阻,为了形成可靠的欧姆接触,在接触孔下的扩散区做了重掺杂。

电容器的设计采用MIS电容器,考虑电路对转换速率的要求,电容面积按2pF/10000μm2计算。

2.2.2 差分输入电路的版图设计

差分输入电路的精度是影响JFET输入运算放大器的最主要因素。因此,在版图设计时除了合适的布局外,还要充分考虑到该部分电路所用元器件的匹配性,设计时主要采用以下匹配原则:(1)JFET采用统一的几何形状,放置在最相邻的位置,采用共质心拓扑结构交叉耦合的版图设计【2】;(2)JFET所属隔离岛实行N+重掺杂,保证隔离岛等电位,减小JFET表面漏电;(3)npn晶体管发射区采用φ22μm圆形结构,放置在JFET边上,采用交叉耦合的版图设计,减小输入级有源负载失配对失调的影响;(4)匹配好的JFET远离芯片热源,放置在芯片的对称轴上;(5)所用电阻均为基区电阻,条宽为20μm。采用上述原则设计出如下结构:

经布局规划,模块实现和版图优化,得到芯片的整体版图(图4),芯片版图尺寸为:3380μm×1860μm。

3 流片结果及分析

芯片版图经总体布局、布线设计完成后,对版图进行了DRC和LVS检查,并在流片厂双极对通隔离兼容JFET工艺线成功流片,芯片图形如图5所示。

表1是该运算放大器样品的上机测试参数与国外同型号产品对比结果。从表1可以看出,该运算放大器达到了国外同型号产品的参数要求(实测时TI公司同类产品IB为100pA左右,Linear Technology公司同类产品IB为150pA左右),可以替代进口的同型产品。

4 结语

为了实现高精度、高速、高可靠运算放大器,本文设计出了一种输入级完全对称的版图结构。芯片版图经总体布局、布线设计完成,并在流片厂成功流片。结果表明,该芯片的性能指标优于国内同型产品,版图设计很好地实现了电路功能,初测芯片的成品率达90%。

参考文献:

集成电路版图设计范文2

关键词:集成电路版图;CD4002B;芯片解析

作者简介:王健(1965-),男,辽宁沈阳人,沈阳化工大学信息工程学院,副教授;樊立萍(1966-),女,山东淄博人,沈阳化工大学信息工程学院,教授。(辽宁 沈阳 110142)

中图分类号:G642.0?????文献标识码:A?????文章编号:1007-0079(2012)31-0050-02

“集成电路版图设计”是一门讲授集成电路版图版图工作原理、设计方法和计算机实现的课程,是电子科学与技术专业及相关电类专业课程体系中一门重要的专业课。[1]该课程一般以“模拟电子技术基础”、“数字电子技术基础”和“半导体器件”为先修课程,主要讲授集成电路双极工艺和CMOS工艺的基本流程、版图基本单元的工作原理和结构特点,以及布局布线的设计方法。[2]其目的是指导学生掌握集成电路版图分析与设计技术,提高学生实践能力和综合解决问题的能力。由于集成电路芯片外层有封装,学生在学习该课程前对版图无直观认识,很多版图设计教材是先讲授工艺流程,然后讲授单元版图,最后论述布局布线等内容,这样教学有悖于从感性到理性的认知过程,有碍教学效果。[3]有的教材在版图解析方面做了有益尝试,但由于当时技术条件限制,采用绘制图代替芯片解析照片,实践性欠佳。为了在有限的学时中能够尽快引导学生入门,在版图解析与设计两个方面的能力都有所提高,笔者将芯片CD4002B解析并应用到“集成电路版图设计”课程教学实践中,效果良好。

一、版图逆向解析

集成电路的设计包括逻辑(或功能)设计、电路设计、版图设计和工艺设计。通常有两种设计途径:正向设计、逆向设计。[2]

逆向设计的作用为仿制和获得先进的集成电路设计。逆向设计的流程为:提取横向尺寸,提取纵向尺寸和测试产品的电学参数。[2]

对于本科电子科学与技术专业教学,版图的逆向设计主要是提取芯片的横向尺寸。提取芯片横向尺寸方法为:打开封装,进行拍照、拼图;由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则;进行电路模拟和画版图。

二、CD4002B版图解析

CD4002B是两个四输入或非门芯片,封装为双列14针塑料封装,根据芯片编号规则判断为CMOS工艺制造。该电路具有器件类型全面、电路典型的特点,适用于教学实践。

1.CD4002B芯片版图拍照

首先将芯片放到浓硝酸中加热,去掉封装,用去离子水冲洗、吹干后在显微镜下拍照铝层照片。再将芯片放到盐酸溶液中漂洗去掉铝层,用去离子水冲洗、吹干后放到氢氟酸溶液中去掉二氧化硅层,经去离子水冲洗、吹干后用染色剂染色,杂质浓度高部分颜色变深,冲洗、吹干后在显微镜下对无铝层(有源层)芯片拍照。

采用图形编辑软件分别对两层照片进行拼接,获得版图照片。

2.芯片版图分析

通过对CD4002B两层(铝层和有源层)照片进行分析研究表明:解析的芯片为是一层铝,且铝栅极,P阱工艺。该芯片铝线宽度最小为9微米,栅极宽度为6微米。芯片包含的单元为NMOS、PMOS、反相器、四输入与非门、电阻、二极管等。

该芯片由两个四输入或非门组成,其中一个或非门电路图如图1所示,其中9、10、11、12管脚为输入端,14管脚为电源端,13管脚为输出端和7管脚为地端。四个输入端首先分别经过一个反相器,然后接入一个四输入与非门,最后经过一个反相器输出。逻辑关系经过推导和仿真验证为或非门关系。

为了实现静电保护,在输入、输出和电源端分别构造静电保护。输入端静电保护电路由四个二极管和一个限流电阻构成;输出端静电保护电路由二个二极管和一个限流电阻构成;电源端静电保护电路由一个二极管构成。

下面以芯片中四输入与非门版图和输入静电保护电路说明版图特点。

该芯片的四输入与非门版图如图2所示。N14、N15、N16、N17为NMOS管,共用一个P阱,从铝层分析四个NMOS管为串联关系。为了节省面积,相邻器件源极和漏极共用,即上一个管子源极是邻近管子漏极;P14、P15、P16、P17为PMOS管,从铝层分析四个NMOS管为并联关系,四个器件源极相连和漏极相连,提取的电路图见图1。

该芯片的输入管脚都有静电保护电路,如图3所示。其中D5-1、D5-2为两个以P阱为P区的二极管,该管N区接输入端,P区接地;R5为基区电阻;D5-3、D5-4为以基区电阻为P区,衬底为N区的二极管,其中P区接电阻,N区接电源。提取的电路图见图1。

三、课程教学改革

1.教学大纲的改革

本科生教学既要注重实践教学又要兼顾理论教学,不仅要掌握单元的版图设计和软件使用,还应该掌握版图结构原理。为此确立该课程的基本目标为:电路的分析及应用,能够读懂电路的线路图,并能进行正确分析;版图识读和常见基本器件的版图设计;布局布线与验证修改;[4]掌握版图的失效机理,并能掌握特殊器件版图的设计方法。

根据电子科学与技术的课程体系,参考几种教材制定了特色显著的教学大纲。该大纲主要内容包括:模拟和数字集成电路基本单元电路和工作原理;双极工艺、CMOS工艺和BICMOS工艺的介绍;集成电路的失效机理和防护措施;三种工艺的中的NPN和PNP晶体管、NMOS和PMOS晶体管、电阻、电容和电感等器件的版图和工作原理;特殊器件的版图及工作原理;[5]版图布局、布线和标准单元设计的基本规则;逆向版图的识别方法;[2]集成电路设计软件的使用方法。[6]

集成电路版图设计范文3

[关键词]集成电路,布图设计,知识产权,集成电路保护法

集成电路是微电子技术的核心,是现代电子信息技术的基础。集成电路的应用极为广泛,计算机、通讯设备、家用电器等几乎所有的电子产品都离不开集成电路。自20 世纪后半叶以来,集成电路工业在许多国家的国民经济中发挥着越来越重要的作用。我国当前也十分重视集成电路工业的发展。

2000 年6 月27 日,国务院颁布的《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》提出:“集成电路设计产品视同软件产品,受知识产权方面的法律保护。”①但我国现在还没有类似《计算机软件保护条例》那样的单行法规用来保护集成电路设计产品。而利用现有的知识产权法律,是将集成电路设计产品作为作品用著作权法来保护,还是将之作为发明用专利法来保护? 这个问题我国尚无明确规定,还需要根据集成电路设计产品的性质和特点,来确定其应适用的法律。

本文对集成电路设计产品的性质和特点进行分析,不仅符合我国当前大力发展集成电路工业及即将加入世界贸易组织的形势需要,也希望能为我国制订集成电路保护法提供一些立法参考。

一、集成电路布图设计的知识产权性质和特点

集成电路设计产品,指的是集成电路生产过程中的布图设计这一中间产品。布图设计是制造集成电路产品中非常重要的一个环节,它的开发费用一般要占集成电路产品总投资的一半以上。不法厂商抄袭他人的布图设计,就能仿造出相同的集成电路产品,而其成本却比原开发者的少得多。这种抄袭行为严重损害了产品开发者的利益,而传统的物权法却对之束手无策。这是因为布图设计具有无形财产的性质特点,必须利用知识产权法予以保护。发达国家的立法部门出于对集成电路工业的关注,于20 世纪70 年代末开始研究对布图设计给予专有权的法律问题。20 世纪80 年代,美国、日本等集成电路工业发达的国家陆续颁布法律,保护布图设计权,将集成电路布图设计保护法作为知识产权法中的一个新的部门。20世纪90 年代中期,我国已开始起草集成电路布图设计保护法,但由于种种原因,至今尚未颁布。从目前的形势看,我国需要在知识产权法律体系中增加这部法规。布图设计是独立的知识产权客体,其性质和特点表现为以下方面:

(一) 布图设计是智力劳动的成果

集成电路( Integrated Circuits) 英文简称IC ,也有人习惯将之称为芯片。通俗地说,集成电路就是一种电子电路产品,它的各种元件集成在一个固体材料中并作为一个整体单位来执行某种电子功能。这种电路高度集成地组合和联结若干电子元件,缩小电路的尺寸,加速电路的工作速度,降低电路成本和功耗。

集成电路布图设计,简称布图设计(Layout Design) ,是指集成电路中多个元件,其中至少有一个是有源元件和其部分或全部集成电路互连的三维配置,或者是为集成电路的制造而准备的这样的三维配置。②通俗地说,布图设计就是确定用以制造集成电路的电子元件在一个传导材料中的几何图形排列和连接的布局设计。

布图设计是制造集成电路产品中非常重要的一个环节,设计工程师们根据集成电路所要执行的功能设计集成电路的结构。布图设计是艺术创造力与精密的电子工程技术融合的产物。在设计中,设计人员借助计算机模拟,把数以千万计的线路组成部分一而再、再而三地调整位置,安排这些线路的组合,使一个芯片中能包含更多的元件,具有更强大的功能,以求生产效率的最大化和芯片体积的最小化。在早期的集成电路生产中,布图设计被绘制在掩膜上。掩膜(Mask) 如同一张摄影底片,是将要置放到芯片中的线路的底片。布图设计固定在掩膜上,该掩膜就成为制造芯片的模版,是制造集成电路的中间产品。这种掩膜也曾是工业间谍千方百计想要窃取的目标。③随着科技的发展,目前的集成电路布图设计更多的是以编码方式储存于磁盘、磁带等介质生产集成电路已经有些过时了。

从上述布图设计的创作过程可以看出,布图设计是设计工程师们根据集成电路所要执行的功能而设计的集成电路的结构,它无疑是智力劳动的产物。

(二) 布图设计是无形的

布图设计是确定用以制造集成电路的电子元件在一个传导材料中的排列和连接的布局设计。布图设计可以固定在磁盘或掩膜上,也可以固定在集成电路产品中,但这些磁盘或集成电路只是它的物质载体,布图设计本身是无形的。这就如同作品可以固定在书本或磁盘上,而作品本身是无形的。布图设计的无形性特点,是它成为知识产权客体的主要原因。

布图设计虽然是无形的,但它也同其他无形财产一样,具有客观表现形式和可复制性。布图设计若要得到法律的保护,也必须具有一定的表现形式,必须固定于某种物质载体上,为人们感知,并可以复制。在集成电路产品的生产中,布图设计被固定于磁盘或掩膜中,并被大量复制于集成电路产品内。

(三) 布图设计具有创造性和实用性

布图设计只有具有创造性,才受法律保护。已颁布布图设计保护法的国家,一般均在其法律中兼采著作权法的创作性(原创性) 和专利法的创造性和新颖性的要求,又依据布图设计自身的特点而加以变化,确定布图设计的创造性要求。⑤受法律保护的布图设计,要求必须是设计人自己创作的,有自己的独特之处。此点借鉴著作权法的创作性要求。

同时,布图设计的创造性还要求,受法律保护的布图设计,与以往的布图设计相比,要有一定的进步性和新颖性。布图设计要应用于工业实践,若无进步性和新颖性,也就没有予以知识产权保护的必要。不过,布图设计的创造性和新颖性,不必达到专利法要求的标准,只要比以往的布图设计有一定的进步性和不同,就可以得到法律保护。这是因为,集成电路产品的更新换代表现为集成度的不断提高,在同样体积的芯片上布局更多的元件以增强功能、降低能耗。新的集成电路产品,不过是比原来的产品集成度高,不可能是前所未有的,也不大可能达到突出的实质性特点和显著的进步。所以,已颁布集成电路保护法的国家,均不直接采纳专利法中的创造性和新颖性的标准,而是降低要求,以适应实际情况。

集成电路是应用广泛的工业产品,布图设计是其生产过程的一个重要环节,是中间产品,布图设计的实用性是非常明显的。

(四) 布图设计是独立的知识产权客体

布图设计是独立的知识产权客体,有着自己的特点。因而,已颁布集成电路保护法的国家,基本上不引用著作权法或专利法来保护它,而是依据其特点,制订单行法规,将之作为独立的客体予以保护。

美国是当今世界上半导体工业最发达的国家,也是最先对集成电路布图设计予以立法保护的国家。1984 年美国颁布了《半导体芯片产品保护法》(“Protection of Semiconductor Chip Products Act”) ,并于1984 年11 月8 日起实施,确认了布图设计专有权。这部法律虽然作为《美国法典》第17 编(版权法) 的最后一章,即第9 章,但它实际上是一个独立的体系,既不属于版权法体系,也不属于专利法体系。布图设计权不是版权,而是作为与版权近似的一项独立的权利(copyright - like) ,受特殊保护(suigeneris potection) .⑥在美国1984 年《半导体芯片产品保护法》的影响下,日本于1985 年5 月31 日颁布了《半导体集成电路的线路布局法》。日本的这部法律在立法体例和内容上均与美国法相似,既不隶属于版权法,也不隶属于专利法,而是自成体例,以单行法规的形式出现。

二、布图设计与其他相关知识产权客体的比较

在众多的知识产权客体中,布图设计与发明、作品较为接近。但它也有与发明等不同的特性。从布图设计与其他相关知识产权客体的比较中,可以进一步分析布图设计的特点。

(一) 布图设计不同于发明

布图设计是科技领域中的一种智力劳动的成果,又直接应用于工业生产,在知识产权诸多客体中,它与发明最接近。但与发明不同的是,布图设计只是中间产品,是制造集成电路产品中非常重要的一个环节,不具有独立的功能。因而,布图设计不能单独取得专利。

含有布图设计的集成电路产品,组装成能完成一定任务、具有特定功能的零件或设备产品,若具备专利法规定的发明的条件,可以作为发明获得专利。

在实践中之所以不将集成电路产品作为发明,用专利法来保护,原因在于:对集成电路产品而言,取得专利的条件过于严格,只有极少数的集成电路产品能获得专利,而绝大部分集成电路产品缺乏作为专利保护的发明所必需的创造性和新颖性。

集成电路产品的发展,基本表现在不断地提高集成度、节约材料、降低能耗上。现在的集成电路产品,由于工艺水平的提高,集成度越来越高,其体积和外形越来越小。虽然对于设计者来说,将几十万甚至上亿个元件布置在一小片半导体硅晶片上,要花费不少心血,但这种布图设计的创造性水平却不一定能达到专利法所要求的高度,集成度高未必就一定具备专利法上的创造性。在实践中,一些非常先进和尖端的集成电路产品也未能获得专利。

另外,在布图设计中,设计人员常常采用一些现成的单元电路进行组合。这些单元电路在实践中已为人们熟知,其中一些甚至已经是最优化设计,其表现形式是有限的、甚至是唯一的,要追求电路的最佳功能状态只能选择这些已经成型的单元电路,由现有的单元电路模块组合成的集成电路若作为组合发明去申请专利,则大多数难以达到专利法要求的取得意想不到的效果的条件。⑦

(二) 布图设计不同于作品

集成电路的布图设计图纸,可以依照著作权法作为产品设计图纸作品而受到保护。布图设计本身,却不同于作品。布图设计虽然有着与作品类似的创作性和可复制性的特点,但布图设计也有着不同于作品的特点。

布图设计与作品的区别主要有以下几点:

1. 布图设计的表现形式极为有限,而作品的表现形式则是丰富多采的。集成电路由一系列电子元件及连结这些元件的导线所组成,是执行一定电子功能的电路。基于其使用目的,其元件的布局、图形的大小,都由集成电路产品的电参数和生产工艺技术水平决定,因此布图设计的表现形式极为有限。若突破这些限制,由设计师任意发挥,则创作出的布图设计就没有工业实用性。这就不同于著作权法中的一般作品。一般作品是由语言、文字、图形或符号构成的,表现一定的思想。同一思想可以有多种表现形式,著作权法保护的就是思想的表现形式。因此,将有限表达形式的布图设计作为作品看待,显然是不妥的。⑧

2. 布图设计也不适宜直接用著作权法保护。集成电路是一种电子产品,布图设计是其产品制造中的一个环节,因而集成电路及其布图设计是一种纯功利主义的实用物,不符合著作权法关于保护对象的要求。若将布图设计归入绘画、雕塑等造型艺术类作品中,则违背了著作权法的原则。在实践中,美国有人就曾提议修改版权法将布图设计列入绘画和雕塑作品而被拒绝。⑨再者,布图设计不需要作品那样长的保护期。如果将布图设计作为作品来保护,则会因著作权法保护的期限过长而不利于集成电路产业的发展。而且,由于集成电路产品更新换代很快,过长的著作权保护期对之也不必要。另外,若将布图设计列入作品,则在集成电路工业实践中广泛利用的反向工程,就会因其是对作品的复制而被认定为侵权,这不利于集成电路工业的发展。

3. 布图设计不仅要具有创造性(原创性) ,还必须具有先进性和实用性,才能得到法律的保护。依照著作权法,有原创性的作品均受保护,哪怕这种创造性的分量十分微小。著作权法并不要求作品必须有先进性和新颖性。⑩而作为实用产品的集成电路及其布图设计,无先进性就无受保护的必要。

(三) 布图设计不同于技术秘密

含有布图设计的集成电路虽然是一种科技产品,有一定的布图设计技术,但该产品一旦出售,其布图设计就公开了,无法再作为技术秘密予以保护。因为无论采用何种封装技术,持有该集成电路产品的人都可用适当的方法了解和复制其内部的布图设计。

总之,布图设计因其自身具有的独特性,而成为一个独立的知识产权客体。

注释:

[①]《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》第50 条。

[②]参见世界知识产权组织《集成电路知识产权保护条约》第2 条。

[③]参见埃弗雷德·M·罗杰斯、朱迪思、K·拉森:《硅谷热》,范国鹰等译,经济科学出版社1985 年版,第13~27 页。

[④]参见邝心湖:《集成电路技术现状与展望》,《电子知识产权》1993年第期;Christie ,Andrew , Integrated Circuits andTheir Contents : International Protection ,London :Sweet and Maxwell ,1996 ,p. 3.

[⑤]参见美国1984 年的《半导体芯片产品保护法》(“Protection of Semiconductor Chip products Act”) 、日本1985 年的《半导体集成电路的线路布局法》。

[⑥][⑨]See Christie ,Andrew , Integrated Circuits and Their Contents : International Protection ,London : Sweet and Maxwell ,1996 ,p. 5 ,p. 3.

[⑦]参见郭禾:《试论我国集成电路的法律保护》, 《计算机与微电子发展研究》1992 年第3 期。

[⑧]参见刘春茂等:《中国民法学·知识产权》,中国人民公安大学出版社1997 年版,第27~28 页;郭禾:《试论我国集成电路的法律保护》, 《计算机与微电子发展研究》1992 年第3 期。

[⑩]参见德利娅·利普西克:《著作权与邻接权》,联合国教科文组织译,中国对外翻译出版公司2000 年版,第43~44 页。

[⑦][⑨]参见方美琪主编:《电子商务概论》,清华大学出版社1999 年版,第289 页,第294~295 页。

[⑧]参见陈建民:《网络服务者在什么情况下承担侵权责任》, 《电子知识产权》2000 年第5 期。

[10][13][14][27][28]参见薛虹:《网络时代的知识产权法》,法律出版社2000 年版,第270 页,第209~210 页,第270 页,第273页,第272 页。

[11]See White paper , pp. 114~124.

[15]See DMCA , art . 512.

[16]See DMCA , art . 512 (i) .

[17]See DMCA , art . 512 (a) .

[18]See DMCA , art . 512 (b) .

[19]See DMCA , art . 512 (c) .

[20]See DMCA , art . 512 (d) .

[21]See DMCA , art . 512 (e) .

[22]See EC/ 2000 Directive on E - Commerce , art . 12~15.

[23]See EC/ 2000 Directive on E - Commerce , art . 12.

[24]See EC/ 2000 Directive on E - Commerce , art . 13.

[25]See EC/ 2000 Directive on E - Commerce , art . 14.

[26]See EC/ 2000 Directive on E - Commerce , art . 15.

[29][2000]C. T. L. R. ISSUE2NENS SECTION :NATIONAL REPORTS N - 8.

[30]See Singapore E - Transaction Act (1998) ,sec. 3.

[32]参见《关于审理涉及计算机网络著作权纠纷案件法律适用若干问题的解释》第4条。

集成电路版图设计范文4

 

―、构建课程体系的总体思路

 

构建微电子技术专业课程体系的总体思路是以微电子行业职业岗位需求为依据,以素质培养为基础,以技术应用能力为核心,构建基于工作过程的课程体系。实施学院“四环相扣”的工学结合人才培养模式,将“能力标准、模块课程、工学交替、职场鉴定”的四个环节完整统一,环环相扣,充分体现了高职教育工学结合的人才培养思想,努力为社会培养优秀高端技能型人才。

 

1.行业、企业等用人单位调研。通过调研国内“成渝经济区”为主)微电子技术行业、企业等用人需求和要求,了解现有高职微电子技术专业学生就业情况、用人单位反馈意见及人才供需中存在的问题。电子信息产业是重庆市国民经济的第一支柱产业。重庆市“十二五”规划建议提出,培育发展战略性新兴产业。把新一代信息产业建设为重要支柱产业,建设全球最大的笔记本电脑加工基地、建设通信设备、高性能集成电路、光伏组件及系统、新材料等重点产业链(集群),建成国家重要的战略性新兴产业基地。以集成电路产业的重点项目为牵引,建成包括芯片制造、封装、测试、模拟及混合集成电路设计和制造等项目的产业集群,形成较为完善的集成电路产业链;四川电子信息产业未来5年将迈万亿元,成渝经济区将打造成西部集成电路的产业高地。随着惠普、富士康、英业达、广达集团等世界级的IT巨头进入成渝,未来几年IT人才需求在20万以上,而现在成渝地区每年培养的相关人才不过2万人左右,远远不能满足社会需求。市场需求的调查表明,近年来成渝地区IC制造、IC封装及测试、IC版图设计等岗位的微电子技术应用型人才紧缺。同时调研表明半导体行业企业却难以招到满意的人才,学生在校学非所用,用非所学,实践动手能力、社会适应能力、责任意识、职业素养难以满足企业要求。

 

2.基于工作过程的课程体系的理论基础。基于工作过程的课程体系的理论基础,主要从德国“双元制”职业教育学习论和教学论的角度阐述构建基于工作过程的课程体系的理论依据。工作过程系统化的课程体系必须针对职业岗位进行分析,整理出具体的、能够涵盖职业岗位全部工作任务的若干典型工作过程,按照人的职业能力的形成规律进行序列化,从中找出符合职业岗位要求的技术知识和破译出隐性的工作过程知识,并以工作任务为核心,组织技术知识和工作过程知识[2]。通过完全打破原有学科体系,按照企业实际的工作任务、工作过程和工作情境组织课程,形成围绕工作过程的新型教学项目的“综合性”课程开发。

 

3.形成专业定位,确定培养目标。根据存在的问题及半导体产业链过程:集成电路设计—裸芯片精细加工^封装测试—芯片应用—PCB设计制造,充分掌握现有微电子技术专业课程体系建设的基础及存在的问题,形成重庆电子工程职业学院微电子技术专业定位,确定培养目标:培养德、智、体、美全面发展;掌握微电子技术专业领域必备的基础知识、专业知识;有较强的岗位职业技能和职业能力;面向集成电路设计、芯片制造及其相关电子行业企业,满足生产、建设、服务和管理第一线的优秀高端技能型专门人才。毕业生应该既掌握微电子方面的基本技术,又具有很强的实际操作能力。具体可从事岗位:集成电路版图设计;半导体器件制造;IC制造、测试、封装;电子工艺(半导体)设备运行、维护与管理;简单电子产品的设计与开发;电子产品的销售与售后服务,并为技术负责人、项目经理等后续提升岗位奠定良好基础。

 

二、构建基于工作过程的学习领域课程体系

 

对专业核心课程的构建采用“微电子行业专家确定典型工作任务—学校专家归并行动领域—微电子行业专家论证行动领域—学校专家开发学习领域—校企专家论证课程体系”的“五步工作机制”,实现校企专家共同参与课程体系设计。通过工作任务归并法,实现典型工作任务到行动领域转换,通过工作过程分析法,实现从行动领域到学习领域转换,通过工作任务还原法,实现从学习领域到学习情境转换的“三阶段分析法”,构建基于工作过程的微电子技术专业课程体系和教学内容,获得人才培养目标、课程体系、课程教学方案“三项主要成果”。即“533”课程设计方法。

 

1.确定行动领域。工作过程系统化课程是按照工作过程要求序化知识、能力和素质,是以工作过程为参照物,将陈述性知识与过程知识整合、理论知识与实践知识整合,在陈述性知识总量没有变化的情况下,增加经验以及策略方面的“过程性知识”3]。对典型工作任务进行归纳,确定行动领域。将本专业52个典型工作任务归纳为6个行动领域,即集成电路版图设计、晶圆制造、集成电路芯片制造技术、芯片封装、芯片测试、SMT技术。

 

2.确定典型工作任务。所谓典型工作任务是指一个复杂的职业活动中具有结构完整的工作过程,它是职业工作中同类工作任务的归类,能表现出职业工作的内容和形式,并具有该职业的典型意义。我院召集企业专家和工作在一线的工程师、技术员,与学院的微电子技术专业教师一起,召开课程开发座谈会,进行微电子技术课程体系开发:以“集成电路(版图)设计—晶圆制造—封装测试—表面贴装”工作过程为主线,与行业企业一线技术骨干、专家解析微电子技术专业岗位中版图设计师、半导体芯片制造工、IC测试助理工程师、SMT工程师、FPGA助理工程师等典型岗位,得出行动领域所具有的专业素质、知识与能力。

 

3.将行动领域转化成学习领域。对完成典型工作任务必须具备的基本职业能力(包括社会能力、方法能力、专业能力)进行分析。通过归纳形成专业职业能力一览表。这些职业能力就是学习领域(即课程)中学习目标制定的依据。打破原有16门专业理论课程和9门实践课程组成的课程体系,按照以工作过程为导向,进行课程的解构与重构,将6个行动领域转换为9个学习领域,即集成电路版图设计、集成电路芯片制造技术、微电子封装与测试、表面贴装工艺与实施、电子线路板实用技术、电子测量仪器使用与维护、语言、单片机应用技术、FPGA应用技术及实践。根据微电子技术专业岗位群的职业能力和工作过程要求,重新构建基于工作过程的课程体系。第一、二学期:电路分析、电子技术等基础课程;第三、四、五学期:集成电路制造技术、电子测量仪器使用与维护、FPGA应用开发实用技术、微电子封装与测试、SMT技术、集成电路版图设计等专业核心课程。

 

4.形成学习情境模式。学习情境是实施基于工作过程系统化的行动导向课程的教学设计,由教师根据学校教学计划,结合学校的教学设施条件、教师执教能力和专长,由教师按照“资讯、计划、决策、实施、检查、评估”的行动方式来组织教学,从而促进学生对职业实践的整体性把握4]。微电子技术专业核心课程形成的学习情境模式为:①集成电路版图设计课程以任务为载体形成6个学习情境:N/PM0S晶体管版图设计、反相器、与非门、或非门版图设计、触发器版图设计、电压取样电路版图设计、比较器版图设计、DC-DC版图设计;②集成电路芯片制造技术课程以设备为载体形成8个学习情境:集成电路芯片制造技术工艺流程、硅晶圆制程、硅晶薄膜制备、氧化工艺、掺杂技术、光刻工艺、刻蚀工艺、集成电路芯片品检;③微电子封装与测试课程以工艺为载体形成4个学习情境:DP封装、BGA封装、CSP封装、MCM封装;④表面贴装工艺与实施课程以工艺流程为载体形成5个学习情境:SMT工艺流程的基本认知、表面贴装生产准备、表面贴装设备操作与编程、表面贴装品质控制、SMT生产线运行及工艺优化5个学习情境;⑤电子线路板实用技术课程以项目为载体形成3个学习情境:单面板的制图与制板、简单双面板的制图与制板、复杂双面板的制图与制板;⑥电子测量仪器使用与维护课程以电路设备为载体形成9个学习情境:收音机元件准备、收音机电路测试、收音机电路工作状态检测、收音机整机调整、收音机装调使用仪器的保养与维护、电视机元件检测、电视机电路检测、电视机的质量检查、电视机装调使用仪器的保养与维护;⑦C语言课程以项目为载体形成6个学习情境:编程的基本概念、C语言上机步骤C语言上机步骤、算法的概念、基本数据类型、结构化程序设计、函数的概念;⑧单片机技术及应用课程以任务为载体形成6个学习情境““跑马灯”电路分析与实践、单片机做算术、逻辑运算并显示、开关信号状态读取与显示电路的制作、交通信号灯电路的设计与制作、产品数量统计电路的设计与制作、两台单片机数据互传;⑨FPGA应用技术及实践课程以项目为载体形成6个学习情境:课程概述、基于QualusII的原理图输入设计、宏功能模块应用、基于QuarusII软件的VHDL文本输入设计、VHDL设计、实用状态机设计。

 

三、试点实施效果分析

 

在教学实施上,重点是加强教师执教能力:教师在教学中的角色应由主宰者转化为引导者。教师应该主动地引导、疏导和指导学生,学生可以根据自己的兴趣爱好,在教师的指导下,充分利用各种资源,相互协作开展对某一问题的学习探讨,从而获得新知识,得到探索的体验及情感,促进能力全面发展。经过我院近3年的教学实践,课程教学效果得到显著提高,学生专业核心能力、岗位适应能力、社会能力显著提高,“双证书”提高到100%,专业对口率从原来的48%上升到92%,用人单位满意度达90%以上。

 

高职院校在办学过程中要形成特色鲜明的高职办学模式,课程体系是重要的载体。办学特色正是通过课

 

程体系的实施来实现的。基于工作过程系统化的课程体系,跟随产业的发展,调整专业的课程设置,符合职业岗位要求,学生技能显著提升,同时结合我院的办学特色,努力探索基于工作过程的高职微电子技术专业课程体系的构建思路和构建策略。

 

参考文献:

 

[1]姜大源.关于工作过程系统化课程结构的理论基础〇].职教通讯,2006,(1).

 

[2]余国庆职业教育项目课程的几个关键问题ffl.中国职业技术教育,2007,(4).

 

[3]首珩,周虹基于工作过程的课程体系开发与实施m职教论坛,2008,(9).

 

[4]姜大源,吴全全当代德国职业教育主流教学思想研究[M].北京:清华大学出版社,2007.

集成电路版图设计范文5

【关键词】布局 电阻精度 集成电路版图

1 引言

随着集成电路的发展,半导体器件的特征尺寸不断减小,器件的工作速度越来越快,且工作电压越来越低,同时互连线宽也不断减小,使得芯片面积大大减小,降低了芯片设计的成本。同时版图设计过程中产生的一些寄生参数对芯片的影响会越来越大,版图质量的好坏,不仅关系到集成电路的功能是否正确,而且它也会极大程度地影响集成电路的性能、成本与功耗。本文在相同电路设计的前提下,改变版图布局方式,研究了不同版图布局对电阻精度的影响。文章第2节主要讲述目前电路常用的电阻版图实现方式,第3节以具体公式推导为依据,计算研究了不同版图布局对电阻精度的影响。第4节给出结论。

2 目前芯片内电阻常用的版图实现方式

电路中用到电阻时一般是比值要求,如各种电阻分压电路,R1:R2=7:4等,因此电阻的版图设计时首要考虑的是匹配的要求。电阻一般会遵循三个匹配的原则:电阻应该被放置相同的方向、相同的器件类型以及相互靠近。这些原则对于减少工艺误差对模拟器件功能的影响是非常有效的。具体来讲,首先我们要保证电阻使用相同的类型、相同的宽度、相同的长度以及相同的间距。

画匹配电阻时,应该先找最大公约数作为电阻的基本单元。首选大电阻,因为其匹配特性要比小电阻的匹配特性好。比如电阻串中存在2R,R,1/2R等阻值,选用R作为单位电阻,1/2R阻值由两个R电阻并联而得。而且,匹配电阻的两端必须加dummy电阻,保证尽可能精确地得到匹配电阻的宽度和长度。并且将dummy电阻两端短接到地。如图1所示。对于高精度的电阻,建议电阻的宽度为工艺最小宽度的5倍,这样能够有效降低工艺误差。对于阵列中有大量电阻的情况,使用交叉阵列电阻,把电阻放置成多层的结构,形成二维阵列。对于一些阻值小于20欧的电阻,使用金属层来做电阻,会得到更准确的阻值。

3 版图布局对电阻精度的影响

虽然多数电路用到电阻时常是比值要求,然而还有些电路中需要用到的是电阻的绝对值。比如带隙基准电压源中的自启动电路,需要用固定电压来得到电流值,或者电流镜电路,需要从固定电流得到电压值。此时,版图设计要以阻值的精确度为考虑的主要因素。而芯片的实际生产过程中因为环境原因会产生各种各样的偏差,比如光照衍射会导致电阻器件的宽度W和长度L偏差。本文对比了几种电阻布局方法,将单位电阻按照不同的方式和方向布局摆放,降低因为生产过程中尺寸偏差而造成的电阻绝对值偏差,提高电阻精度,使系统性能更稳定。

如图2所示,本文提出对电阻采用一字形布局方式,其中一半单元横向放置另一半单元竖向放置的布局方式,假设同一个电阻需要2N个单位电阻R组成,取其中N个单位电阻R竖向放置,另外N个单位电阻R旋转90度横向放置。总阻值不变,仍然为2N*R。使得电阻阻值变化率与电阻长度以及宽度偏差关联性降低,在不增加原有面积的基础上,提高了电阻的实际精度。

对于理想电阻,总电阻值Rt,其中Rsq是方块电阻,L是电阻的长度,W是电阻的宽度。

假设在生产过程中,L方向变化了a倍,W方向变化了b倍,对于现有的电阻布局方式,总电阻Rt',

参见表1,是如图1所示常用电阻布局方式的电阻变化率,随着电阻宽度和长度偏移量的不同而不同,假设长度变化幅度ΔL和宽度变化幅度ΔW都为-30%~30%,电阻变化率为-41%~85%。

对于本文中的电阻布局方式,旋转90度横向放置的N个单位电阻的宽度和长度与竖向放置的N个单位电阻趋势相反,即竖向电阻单元L变化a倍,但横向电阻单元W变化a倍。因此总电阻Rt''为:

参见表2,是本文提出的如图2所示一字型电阻布局方式的电阻变化率,随着电阻宽度和长度偏移量的不同而不同,假设长度变化幅度ΔL和宽度变化幅度ΔW都为-30%~30%,电阻变化率为0%~19.78%。变化范围远远小于常用电阻布局方式的变化率。

同时,在一字型布局的基础上,路的版图布局也可灵活修改,对于不同长度的电阻,可采用回字形布局方式,或者人字形布局方式。使横向电阻和纵向电阻总数为N个,或者使横向电阻的总长度和纵向电阻的总长度一致,则尺寸偏差对电阻值的影响与一字型布局方式中尺寸偏差对电阻值的影响相同。

如图3所示,电阻可采用回字形布局方式,2N个单位电阻平均分成四组,每组有N/2个单位电阻,第一组和第三组竖向放置,第二组和第四组中的N/2个单位电阻横向放置,四组依次连接形成一个回字。

如图4所示,还可以对电阻采用人字形布局方式,2N个单位电阻平均分成六组,每组有N/3个单位电阻,第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端;第六组中位于末位的单位电阻的另一端为输出端;六组依次连接形成一个人字。

4 结论

本文通过改变版图布局的方式,尽可能的减小工艺对电阻精度的影响。电阻可采用一字形布局方式,即其中一半单元横向放置另一半单元竖向放置的布局方式。对于不同长度的电阻,也可选用回字形或者人字形布局方式,使横向电阻的总长度和纵向电阻的总长度一致,从而会使电阻阻值变化率与电阻长度以及宽度偏差关联性降低,在不增加原有版图面积的基础上,大大提高了电阻的实际精度。

参考文献

[1]Alan Hastings,”The art of Analog Layout”P253-P256[J].电子工业出版社,2007.

作者简介

刘静(1982-),女,河北省沧州市人。硕士学位。高级工程师,从事DRAM/Flash 芯片中版图设计工作。

集成电路版图设计范文6

关键词:输出接口;扩展;多路控制

0引言

在电路的设计过程中,经常会遇到由于各种各样的原因需要增加IC输出接口,从而导致IC资源紧张或输出接口不够用。遇到此类问题时,设计者通常会选择更换资源更加丰富的IC或者将IC输出接口中比较次要功能的输出接口替换掉。而采用更换资源丰富的IC时常常由于剩余接口资源而造成浪费,而采用替换次要功能的输出接口方案时常常会造成对电路系统或者该电路系统所对应产品的质量和性能造成影响。特别是对于在当前在国内外激烈竞争的市场中,产品性能和质量无疑是影响企业生存的重要因素。

1设计原理

通常IC的输出接口信号有三种状态[1]:高电平(H)、低电平(L)以及高阻态(Z),本文所设计的电路,其原理正是利用这三种信号作为模块电路的输入信号,分别控制不同的三路输出,其原理模块示意图如图1所示。图中输入信号高电平对应输出信号组K1,低电平对应输出信号组K2,高阻态对应输出信号组K3,且每个输出信号组均由实际的三路输出组成。

2硬件电路设计

根据设计原理示意图,设计了如图2所示的扩展电路模块电路图。图2中Input为输入控制信号,该信号为从IC输出的控制信号,Output1,Output2,Output3组成输出信号组K1、K2、K3。其中二极管D4为低压降二极管,其导通压降要求低于三极管Q6发射极导通压降,从而使得在Input输入信号为低电平时,三极管Q6处于截止状态[2]。1)Input输入信号为高电平时:二极管D4截止,三极管Q6导通。三极管Q6集电极为低电平,二极管D5截止,二极管D6导通,使Output3输出高电平。同时三极管Q4导通,从而使三极管Q2、Q3截止,Output1输出低电平。同时由于R1上的压降大于三极管Q1之间的压降,故Q1导通,Output2输出高电平;2)Input输入信号为低电平时:二极管D6截止,二极管D4导通,由于二极管D4导通压降低于三极管Q6发射极压降,从而使三极管Q6截止,Q6集电极输出高电平,二极管D5导通,Output3输出高电平。

3实验

对本文所设计的电路将其应用到美的烹饪机X1上控制两路温度采集和风机控制实验。

4结论

本文介绍了一种输出接口扩展电路并对该电路进行了逻辑分析和实验验证,通过逻辑分析和实验验证,证明了该电路能够通过单个输出接口的高电平、低电平和高阻态三种信号状态来分别控制三路输出,实现了单输出信号控制多路输出信号。该电路很好的解决了在电路设计过程中因增加负载而导致IC输出资源不够用的问题。

参考文献

[1]李全利.单片机原理及应用[M].北京:高等教育出版社,2012.

[2]童诗白,华成英.模拟电子技术基础:第三版[M].北京:高等教育出版社,2001.

[3]殷瑞祥.电路与模拟电子技术:第二版[M].北京:高等教育出版社,2009.

[4]张静秋,胡燕瑜.共射共基和共集三种基本放大电路特性的仿真研究[J].电子制作,2016(23):40.

[5]任青莲,高文华.共射-共基电路的高频响应分析及PSPICE仿真[J].山西电子技术,2011(6):3-5.