人工晶体学报
  • 邮发代号:80-824
  • 出版地区:北京
  • 开本尺寸:B5
  • 创刊时间:1972
  • 语言种类:中文 
  • 起订时间:2022年01月
  • 复合影响因子:0.52
  • 订价:1200.00元/年
  • 综合影响因子:0.56

期刊简介

    《人工晶体学报》创刊于1972年,为学术性刊物。刊载我国在人工晶体与材料方面的研究成果和论文,包括晶体生长技术、晶体性能、晶体品质鉴定等方面的研究论文,以及晶体材料应用等方面的科研成果,同时以简报形式报道阶段性研究成果,介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。读者对象为国内外从事晶体及材料科学研究、晶体生长、人工晶体材料的应用研究和开发以及相关领域的科研人员、大专院校师生、管理人员。

收录、荣誉

收录情况:

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期刊荣誉:

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主要栏目

研究快报、研究论文、综合评述、封面图片

部分目录

1、Bridgman法晶体生长技术的研究进展介万奇;

2、Si82笼状分子的第一性原理研究汪雷;杨德仁;

3、化学气相沉积法制备ZnSe微球王丹;李焕勇;介万奇;

4、紫外低吸收YAl_3(BO_3)_4晶体生长陈啸;刘华;叶宁;

5、热交换法生长c面取向大尺寸蓝宝石晶体的研究张雪平;

6、K_2Al_2B_2O_7晶体四倍频特性理论研究翟乃霞;王桂玲;

7、硅异质结电池界面处理关键工艺的研究王楠;张瑜;周玉琴;

8、分离结晶过程中气液界面形状及稳定性李震;彭岚;李友荣;

9、氧化性在硅太阳电池织构中的作用李国荣;周玉琴;刘丰珍;

10、结构缺陷对HgI_2晶体光吸收的影响许岗;李高宏;介万奇;

11、InAs纳米颗粒的制备及性能表征梁建;王玉;赵君芙;马淑芳;

12、石英晶体中的腐蚀隧道缺陷李法荟;李建保;华大辰;王晓刚;

13、共蒸发三步法制备CIGS薄膜的相变过程刘芳芳;张力;何青;

14、CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究李寒松;李焕勇;

15、KDP晶体缺陷对生长应力分布的影响袁方方;葛培琪;高玉飞;

16、Nd3+掺杂Lu_2O_3透明陶瓷的制备和光学性能周鼎;施鹰;徐家跃;

17、cBN合成块断口形貌观察及XRD分层表征李森;郭晓斐;许斌;王豪;

18、微波水热法合成硅酸钇纳米晶许斌生;曹丽云;黄剑锋;王灵灵;夏昌奎;

19、基于X射线sin2φ法的择优取向金刚石膜残余应力分析李晓伟;常明;

20、Ce掺杂ZnO纳米晶的光催化性能研究汪应灵;谢友海;薛载坤;刘国光;

21、往复式电镀金刚石线锯切割单晶硅片特性研究高玉飞;葛培琪;李绍杰;

22、MgO掺杂LKNN无铅压电陶瓷的致密化烧结李海涛;张波萍;张倩;赵斌;

23、开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比余文涛;李焕勇;介万奇;刘正堂;

24、水热法制备BiFeO_3粉体的相变研究李波;孙华君;陈文;张成勇;沈杰;周静;

25、宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究马可;贺永宁;张松昌;刘卫华;

26、温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响张磊;沈鸿烈;尤佳毅;

27、Li0.067Na0.933TbMoO42磁光晶体的生长与磁光性能郭飞云;庄乃锋;赵斌;陈建中;

28、溶胶-凝胶法制备Mg掺杂ZnO薄膜的微结构与光学性质黄凯;吕建国;刘先松;唐震;

29、直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用张湘辉;汪灵;龙剑平;

30、静电自组装制备镧掺杂高岭石基纳米TiO_2光催化材料研究王程;施惠生;李艳;杜国强;

文章要求

1、文章标题要简短,能概括中心思想,一般不超过20个汉字,必要时加副标题

2、正文应层次清楚,行文规范,方便阅读,字数一般以2500-8000字为宜,重要稿件可不受此限制

3、题目下面均应写作者姓名、单位名称、所在城市、邮编,多位作者分别列出上述信息

4、来稿必须附有100-300字的内容摘要和3-5个关键词

5、如文章获得基金项目资助,以[基金项目]作为标识,并注明基金项目名称和编号

6、正文中图表主要是文字难以表达清楚的内容,图表应设计合理,先后分别给出图表序号

7、来稿请注明姓名、性别、籍贯、出生年月、学历、职称、工作单位、联系电话、详细邮寄地址

8、编辑部有权对稿件进行修删,不同意请在稿件中声明

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