半导体技术

半导体技术杂志 北大期刊

Semiconductor Technology

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期刊荣誉
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  • Caj-cd规范获奖期刊
基础信息
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 国际刊号:1003-353X
  • 国内刊号:13-1109/TN
  • 主编:赵小宁
  • 出刊周期:月刊
  • 邮发代号:18-65
  • 出版地区:河北
  • 开本尺寸:A4
  • 创刊时间:1976
  • 语言种类:中文 
  • 起订时间:2022年01月
  • 复合影响因子:0.34
  • 订价:408.00元/年
  • 综合影响因子:0.352

期刊简介

    《半导体技术》(月刊)创刊于1976年,是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。

    《半导体技术》《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊,河北省优秀期刊。

收录、荣誉

收录情况:

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期刊荣誉:

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主要栏目

趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

部分目录

基于AD7150微位移电容传感器的研究黄林,陈向东,谢宁宁,李晓钰

LED热学性能测试方法的研究综述黄元昊,杨连乔,张建华

GaAs10bitDAC的抗辐射设计和实验田国平,吴洪江,朱思成

一种高效时钟树综合实现方法邓尧之,万培元,刘世勋,林平分

高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展李东生,高明伦

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)赵正平

固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展赵正平

GaN薄膜的椭偏光谱研究余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇

甚短距离光互连模块技术的发展动态李言胜,吉爱国,聂廷远

小型化三维发夹型LTCC宽带带通滤波器赵永志,王绍东,吴洪江

碱性Cu化学机械抛光液性能研究何彦刚,王家喜,甘小伟,李伟娟,刘玉岭

IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制汪波,胡安,陈明,唐勇

Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究陈勇跃,程佩红,黄仕华

表面注入D-RESURF器件耐压模型李琦,王卫东,张杨,张法碧

大功率激光器阵列光场分布测试方法的研究王晓燕,沈牧,任永学,程义涛

基本周期对一维复周期光子晶体禁带的影响程阳

GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备王新中,于广辉,李世国

InP单晶的磁光和热电效应潘静,李晓岚,杨瑞霞,孙聂枫

NPB厚度对堆叠式白光OLED性能的影响刘丁菡,张方辉,阎洪刚,蒋谦

湿热对PoP封装可靠性影响的研究刘海龙,杨少华,李国元

LED受ESD冲击前后性能的变化分析陆海泉,李抒智,杨卫桥,严伟

辐照对PDSOIRFMOS体接触结构器件性能的影响刘梦新,刘刚,韩郑生

低压力Cu布线CMP速率的研究刘海晓,刘玉岭,刘效岩,李晖,王辰伟

模-数-差信号发生器的设计与实现宁敏东,宁宁,王松德,张栓记

AAO模板的湿法刻蚀研究胡国锋,张海明,邸文文,李育洁,高波,朱彦君

ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析王书方,张建华,李喜峰

基于表面势的HEMT模型分析吕彬义,孙玲玲,孔月婵,陈辰,刘军,陈磊

单晶Si太阳能电池工艺仿真与性能分析孙玲,罗向东,常志强

InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究刘英斌,林琳,陈宏泰,赵润,郑晓光

读卡器末级功率放大器的设计与实现南敬昌,梁立明,刘影

文章要求

1、文章标题要简短,能概括中心思想,一般不超过20个汉字,必要时加副标题

2、正文应层次清楚,行文规范,方便阅读,字数一般以2500-8000字为宜,重要稿件可不受此限制

3、题目下面均应写作者姓名、单位名称、所在城市、邮编,多位作者分别列出上述信息

4、来稿必须附有100-300字的内容摘要和3-5个关键词

5、如文章获得基金项目资助,以[基金项目]作为标识,并注明基金项目名称和编号

6、正文中图表主要是文字难以表达清楚的内容,图表应设计合理,先后分别给出图表序号

7、来稿请注明姓名、性别、籍贯、出生年月、学历、职称、工作单位、联系电话、详细邮寄地址

8、编辑部有权对稿件进行修删,不同意请在稿件中声明

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