《半导体技术》（月刊）创刊于1976年，是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》《半导体技术》是中文核心期刊、中国科学引文数据库来源期刊、中国期刊网、中国学术期刊(光盘版)全文收录期刊、美国《剑桥科学文摘》、英国《SA,INSPEC》、和俄罗斯《AJ》来源期刊、中国学术期刊综合评价数据库来源期刊、中国科技论文统计源期刊，河北省优秀期刊。
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趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
基于AD7150微位移电容传感器的研究黄林，陈向东，谢宁宁，李晓钰
LED热学性能测试方法的研究综述黄元昊，杨连乔，张建华
GaAs10bitDAC的抗辐射设计和实验田国平，吴洪江，朱思成
一种高效时钟树综合实现方法邓尧之，万培元，刘世勋，林平分
高密度集成与单芯片多核系统及其研究进展李东生，高明伦
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)赵正平
固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展赵正平
GaN薄膜的椭偏光谱研究余养菁，张斌恩，李孔翌，姜伟，李书平，康俊勇
甚短距离光互连模块技术的发展动态李言胜，吉爱国，聂廷远
小型化三维发夹型LTCC宽带带通滤波器赵永志，王绍东，吴洪江
碱性Cu化学机械抛光液性能研究何彦刚，王家喜，甘小伟，李伟娟，刘玉岭
IGBT关断瞬态电压尖峰影响及抑制汪波，胡安，陈明，唐勇
Ta2O5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究陈勇跃，程佩红，黄仕华
表面注入D-RESURF器件耐压模型李琦，王卫东，张杨，张法碧
大功率激光器阵列光场分布测试方法的研究王晓燕，沈牧，任永学，程义涛
基本周期对一维复周期光子晶体禁带的影响程阳
GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备王新中，于广辉，李世国
InP单晶的磁光和热电效应潘静，李晓岚，杨瑞霞，孙聂枫
NPB厚度对堆叠式白光OLED性能的影响刘丁菡，张方辉，阎洪刚，蒋谦
湿热对PoP封装可靠性影响的研究刘海龙，杨少华，李国元
LED受ESD冲击前后性能的变化分析陆海泉，李抒智，杨卫桥，严伟
辐照对PDSOIRFMOS体接触结构器件性能的影响刘梦新，刘刚，韩郑生
低压力Cu布线CMP速率的研究刘海晓，刘玉岭，刘效岩，李晖，王辰伟
模-数-差信号发生器的设计与实现宁敏东，宁宁，王松德，张栓记
AAO模板的湿法刻蚀研究胡国锋，张海明，邸文文，李育洁，高波，朱彦君
ZnO:Ga透明电极LED的制备及性能分析王书方，张建华，李喜峰
基于表面势的HEMT模型分析吕彬义，孙玲玲，孔月婵，陈辰，刘军，陈磊
单晶Si太阳能电池工艺仿真与性能分析孙玲，罗向东，常志强
InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究刘英斌，林琳，陈宏泰，赵润，郑晓光
读卡器末级功率放大器的设计与实现南敬昌，梁立明，刘影
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